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SI4686DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 18.2 A, 0.0095 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4686DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26R1888
Cinta adhesiva26R1888
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4686DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26R1888
Cinta adhesiva26R1888
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id18.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0095
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd3W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0095
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4686DY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
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Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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