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SI4488DY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 3.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4488DY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo06J7769
Cinta adhesiva69W7200
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $1.320 | $3,300.00 |
| Total Precio | $3,300.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.320 |
| 5000+ | $1.290 |
| 7500+ | $1.270 |
| 12500+ | $1.240 |
| 25000+ | $1.210 |
| 62500+ | $1.190 |
| 125000+ | $1.160 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.530 |
| 5000+ | $1.500 |
| 7500+ | $1.470 |
| 12500+ | $1.440 |
| 25000+ | $1.410 |
| 62500+ | $1.380 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4488DY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo06J7769
Cinta adhesiva69W7200
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id3.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Resistencia de Activación Rds(on)0.041ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia3.1
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.041ohm
Disipación de Potencia Pd
3.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4488DY-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto