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SI4464DY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4464DY-T1-E3
No. Parte Newark06J7747
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 41 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 500+ | $1.05 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,625.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4464DY-T1-E3
No. Parte Newark06J7747
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id1.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.195ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.24
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.195ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.24
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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