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SI4456DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 3.3 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4456DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26R1878
Cinta adhesiva26R1878
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 38 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $1.630 | $4,075.00 |
| Total Precio | $4,075.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.630 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4456DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26R1878
Cinta adhesiva26R1878
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id3.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0045
Resistencia de Activación Rds(on)0.0045ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia3.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0045
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0045ohm
Disipación de Potencia Pd
3.5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
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