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SI4442DY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 22 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4442DY-T1-E3
No. Parte Newark35K3465
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id22
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0045
Resistencia de Activación Rds(on)0.0045ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia3.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0045
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.5W
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
22
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0045ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto