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SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI4435DDY-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo15R5017 Cinta adhesiva84R8049 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
2,500 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $0.452 | $1,130.00 |
| Total Precio | $1,130.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.452 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.401 |
| 5000+ | $0.383 |
| 7500+ | $0.365 |
| 12500+ | $0.358 |
| 25000+ | $0.350 |
| 62500+ | $0.343 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI4435DDY-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo15R5017 Cinta adhesiva84R8049 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal P |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 30 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 8.1 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0195ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.024 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 2.5W |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 2.5 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (16-Jan-2020) |
Resumen del producto
El SI4435DDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de -30V con proceso avanzado de alta densidad. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® montado en la superficie utiliza circuitos integrados y paquetes de señales pequeñas que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia de calor requeridas por los dispositivos de potencia.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 30 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0195ohm |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Disipación de Potencia Pd | 2.5W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 8.1 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.024 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Disipación de Potencia | 2.5 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (16-Jan-2020) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4435DDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (16-Jan-2020) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |