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SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4435DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15R5017
Cinta adhesiva84R8049
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 2500 | $0.401 | $1,002.50 |
| Total Precio | $1,002.50 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.452 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.401 |
| 5000+ | $0.383 |
| 7500+ | $0.365 |
| 12500+ | $0.358 |
| 25000+ | $0.350 |
| 62500+ | $0.343 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4435DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15R5017
Cinta adhesiva84R8049
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id8.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.0195ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The SI4435DDY-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0195ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4435DDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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