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SI4435DDY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI4435DDY-T1-E3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo29X0534 Cinta adhesiva16P3739 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $0.418 | $1,045.00 |
| Total Precio | $1,045.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.418 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.309 |
| 5000+ | $0.291 |
| 7500+ | $0.273 |
| 12500+ | $0.268 |
| 25000+ | $0.262 |
| 62500+ | $0.257 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SI4435DDY-T1-E3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo29X0534 Cinta adhesiva16P3739 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal P |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 30 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 11.4 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0195ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.024 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Disipación de Potencia Pd | 5W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Disipación de Potencia | 5 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (10-Jun-2022) |
Resumen del producto
El SI4435DDY-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 30VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de carga y batería.
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 30 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0195ohm |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| No. de Pines | 8Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 11.4 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.024 |
| Disipación de Potencia Pd | 5W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 5 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (10-Jun-2022) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4435DDY-T1-E3
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (10-Jun-2022) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |