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SI4401BDY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4401BDY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo71T8048
Cinta adhesiva57J5666
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $2.410 | $6,025.00 |
| Total Precio | $6,025.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $2.410 |
| 5000+ | $2.160 |
| 7500+ | $1.980 |
| 12500+ | $1.800 |
| 25000+ | $1.610 |
| 62500+ | $1.420 |
| 125000+ | $1.320 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.010 |
| 5000+ | $0.948 |
| 7500+ | $0.898 |
| 12500+ | $0.810 |
| 25000+ | $0.777 |
| 62500+ | $0.750 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4401BDY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo71T8048
Cinta adhesiva57J5666
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id8.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.85W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.85
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI4401BDY-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 40VDS con diodo antiparalelo.
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.85W
Disipación de Potencia
1.85
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI4401BDY-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto