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SI4288DY-T1-GE3
MOSFET, NN CHANNEL, W/D, 40V, 9.2A, SO8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4288DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0115
Re-reeling (Rollos a medida)64T4063RL
Cinta adhesiva64T4063
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 38 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.260 | $11.30 |
| Total Precio | $11.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.260 |
| 10+ | $1.210 |
| 15+ | $1.180 |
| 25+ | $1.160 |
| 50+ | $1.130 |
| 125+ | $1.100 |
| 250+ | $1.010 |
| 500+ | $0.924 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.569 |
| 7500+ | $0.510 |
| 12500+ | $0.500 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4288DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0115
Re-reeling (Rollos a medida)64T4063RL
Cinta adhesiva64T4063
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0165ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0165ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0165ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0165ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SI4288DY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto