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SI4288DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 9.2A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4288DY-T1-GE3
No. Parte Newark96AJ0115
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4288DY-T1-GE3
No. Parte Newark96AJ0115
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0165ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0165ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0165ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0165ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI4288DY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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