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SI4202DY-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark26AC3327
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 7500+ | $0.688 |
| 12500+ | $0.640 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark26AC3327
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id12.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.0115ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0115
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.7W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia3.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0115ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0115
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
3.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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