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SI4156DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 24 A, 0.006 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4156DY-T1-GE3
No. Parte Newark35R6233
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 50+ | $0.733 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4156DY-T1-GE3
No. Parte Newark35R6233
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia de Activación Rds(on)0.0048ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.006
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)2.2
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0048ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.2
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.006
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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