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SI4122DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 27.2 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.560 |
| 10+ | $2.450 |
| 25+ | $2.250 |
| 50+ | $2.040 |
| 100+ | $1.840 |
| 250+ | $1.730 |
| 500+ | $1.620 |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.410 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4122DY-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0437
Rango de ProductoTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id27.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0045
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia3
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrench
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI4122DY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0045
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
Trench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
27.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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