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SI4058DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 10.3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4058DY-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0435
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.850 |
| 10+ | $0.576 |
| 25+ | $0.515 |
| 50+ | $0.453 |
| 100+ | $0.392 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4058DY-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0435
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id10.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0217ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia5.6W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
5.6W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0217ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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