Imprimir página
SI4056DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 11.1 A, 23 mohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4056DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)19X1959RL
Cinta adhesiva19X1959
Su número de pieza
645 En Inventario
145,810 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.880 | $1.88 |
| Total Precio | $1.88 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.880 |
| 50+ | $0.961 |
| 100+ | $0.872 |
| 250+ | $0.793 |
| 500+ | $0.713 |
| 1000+ | $0.699 |
| 2500+ | $0.684 |
| 5000+ | $0.670 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4056DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)19X1959RL
Cinta adhesiva19X1959
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id11.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.017ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia Pd5.7W
Disipación de Potencia5.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 100V (D-S)
- 100% probados Rg y UIS
- Utilizado en interruptor lateral primario CD/CD, telecomunicaciones/servidor, rectificación síncrona industrial
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.017ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
5.7W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
5.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto