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SI3460DDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3460DDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87W5913
Cinta adhesiva87W5913
Rango de ProductoTrenchFET Series
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Entrega prioritaria disponible
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.344 | $0.34 |
| Total Precio | $0.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.344 |
| 25+ | $0.214 |
| 50+ | $0.179 |
| 100+ | $0.144 |
| 250+ | $0.139 |
| 500+ | $0.134 |
| 1000+ | $0.122 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3460DDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87W5913
Cinta adhesiva87W5913
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id7.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia1.7
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI3460DDV-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 20 VDS adecuado para el interruptor de carga, el convertidor elevador y las aplicaciones de conversión de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Aplicaciones
Industrial, Administración de Potencia
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7.9
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto