Imprimir página
SI3456DDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6.3 A, 0.04 ohm, TSOP, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3456DDV-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87W5912
Cinta adhesiva87W5912
Su número de pieza
2,865 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.352 | $0.35 |
| Total Precio | $0.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.352 |
| 25+ | $0.256 |
| 50+ | $0.195 |
| 100+ | $0.134 |
| 250+ | $0.132 |
| 500+ | $0.129 |
| 1000+ | $0.115 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3456DDV-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87W5912
Cinta adhesiva87W5912
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id6.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04
Resistencia de Activación Rds(on)0.033ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.7W
Diseño de TransistorTSOP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia1.7
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El SI3456DDV-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 30VDS adecuado para aplicaciones de conmutador de carga, HDD y convertidor de CD a CD.
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.033ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia
1.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI3456DDV-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto