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SI3456DDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6.3 A, 0.04 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3456DDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87W5912RL
Cinta adhesiva87W5912
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.578 | $0.58 |
| Total Precio | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.578 |
| 50+ | $0.358 |
| 100+ | $0.228 |
| 250+ | $0.200 |
| 500+ | $0.172 |
| 1000+ | $0.154 |
| 2500+ | $0.142 |
| 5000+ | $0.129 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3456DDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87W5912RL
Cinta adhesiva87W5912
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id6.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04
Resistencia de Activación Rds(on)0.033ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Diseño de TransistorTSOP
Disipación de Potencia1.7
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El SI3456DDV-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 30VDS adecuado para aplicaciones de conmutador de carga, HDD y convertidor de CD a CD.
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.7W
Diseño de Transistor
TSOP
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.033ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia
1.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI3456DDV-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
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