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SI3440ADV-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 150V, 2.2A, 150DEG C, 3.6W
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3440ADV-T1-GE3
No. Parte Newark78AC6537
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3440ADV-T1-GE3
No. Parte Newark78AC6537
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id2.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.316ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia3.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.316ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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