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SI3433CDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 5.2 A, 0.038 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3433CDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo79AH6521
Re-reeling (Rollos a medida)84R8034RL
Cinta adhesiva84R8034
Rango de ProductoSerie TrenchFET
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3,000 En Inventario
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en pedidos superiores a $150 Dlls
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.804 | $0.80 |
| Total Precio | $0.80 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.804 |
| 50+ | $0.497 |
| 100+ | $0.319 |
| 250+ | $0.281 |
| 500+ | $0.243 |
| 1000+ | $0.219 |
| 2500+ | $0.204 |
| 5000+ | $0.188 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.223 |
| 5000+ | $0.219 |
| 10000+ | $0.206 |
| 20000+ | $0.195 |
| 30000+ | $0.185 |
| 50000+ | $0.179 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3433CDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo79AH6521
Re-reeling (Rollos a medida)84R8034RL
Cinta adhesiva84R8034
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id5.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.031ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.038
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.6W
Diseño de TransistorTSOP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.031ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.038
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3433CDV-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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