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SI3433CDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 5.2 A, 0.038 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3433CDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)84R8034RL
Cinta adhesiva84R8034
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Su número de pieza
3,000 En Inventario
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en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.697 | $0.70 |
| Total Precio | $0.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.697 |
| 50+ | $0.315 |
| 100+ | $0.278 |
| 250+ | $0.245 |
| 500+ | $0.212 |
| 1000+ | $0.208 |
| 2500+ | $0.204 |
| 5000+ | $0.199 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3433CDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)84R8034RL
Cinta adhesiva84R8034
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id5.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.038
Resistencia de Activación Rds(on)0.031ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorTSOP
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.038
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
TSOP
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.031ohm
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3433CDV-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto