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SI3407DV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3407DV-T1-GE3
No. Parte Newark35R6207
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 25+ | $0.434 |
| 50+ | $0.380 |
| 100+ | $0.327 |
| 250+ | $0.297 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3407DV-T1-GE3
No. Parte Newark35R6207
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2W
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3407DV-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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