Imprimir página
SI3407DV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3407DV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)35R6207RL
Cinta adhesiva35R6207
Su número de pieza
3,938 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.820 | $0.82 |
| Total Precio | $0.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.820 |
| 50+ | $0.371 |
| 100+ | $0.327 |
| 250+ | $0.288 |
| 500+ | $0.249 |
| 1000+ | $0.244 |
| 2500+ | $0.239 |
| 5000+ | $0.234 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3407DV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)35R6207RL
Cinta adhesiva35R6207
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia Pd
2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3407DV-T1-GE3
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto