Imprimir página
SI2374DS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 5.9 A, 30 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2374DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6499RL
Cinta adhesiva70AC6499
Su número de pieza
2,300 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.500 | $0.50 |
| Total Precio | $0.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.500 |
| 50+ | $0.307 |
| 100+ | $0.195 |
| 250+ | $0.171 |
| 500+ | $0.146 |
| 1000+ | $0.130 |
| 2500+ | $0.120 |
| 5000+ | $0.110 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2374DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6499RL
Cinta adhesiva70AC6499
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id5.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0.025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.7W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1.7W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The SI2374DS-T1-GE3 from Vishay is a 40V SMD Power MOSFET, N Channel transistor in a SOT 23 case. Suitable for load switches and power management applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% tested
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.025ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2374DS-T1-GE3
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto