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SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2369BDS-T1-GE3
No. Parte Newark42AJ0583
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.661 |
| 10+ | $0.458 |
| 25+ | $0.389 |
| 50+ | $0.318 |
| 100+ | $0.274 |
| 500+ | $0.238 |
| 1000+ | $0.205 |
| 2500+ | $0.190 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2369BDS-T1-GE3
No. Parte Newark42AJ0583
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id7.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.027
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.027
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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