Imprimir página
SI2336DS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 5.2 A, 42 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2336DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6269
Re-reeling (Rollos a medida)23T8500RL
Cinta adhesiva23T8500
Su número de pieza
1,553 En Inventario
473,336 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.010 | $1.01 |
| Total Precio | $1.01 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.010 |
| 50+ | $0.454 |
| 100+ | $0.400 |
| 250+ | $0.353 |
| 500+ | $0.305 |
| 1000+ | $0.299 |
| 2500+ | $0.293 |
| 5000+ | $0.287 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.347 |
| 5000+ | $0.341 |
| 10000+ | $0.321 |
| 20000+ | $0.304 |
| 30000+ | $0.288 |
| 50000+ | $0.279 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2336DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6269
Re-reeling (Rollos a medida)23T8500RL
Cinta adhesiva23T8500
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.034ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia1.8W
Disipación de Potencia Pd1.8W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 30V (D-S)
- Probado Rg 100%
- Utiliza en convertidores CD-CD, convertidores de refuerzo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.8W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.034ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto