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SI2336DS-T1-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 5.2 A, 42 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2336DS-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo78AH6658
Cinta adhesiva82AH6204
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.189 | $567.00 |
| Total Precio | $567.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.189 |
| 6000+ | $0.185 |
| 9000+ | $0.181 |
| 15000+ | $0.178 |
| 30000+ | $0.174 |
| 75000+ | $0.170 |
| 150000+ | $0.166 |
| 300000+ | $0.163 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.189 |
| 9000+ | $0.185 |
| 15000+ | $0.181 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2336DS-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo78AH6658
Cinta adhesiva82AH6204
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente42
Resistencia de Activación Rds(on)0.034ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.8
Disipación de Potencia Pd1.8W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoTrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
42
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1.8
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.034ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2336DS-T1-BE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto