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SI2333CDS-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 7.1 A, 0.0285 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark16AC0253
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.375 |
| 9000+ | $0.322 |
| 15000+ | $0.316 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark16AC0253
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id7.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0285
Resistencia de Activación Rds(on)0.0285ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0285
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0285ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SI2333CDS-T1-GE3.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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