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SI2333CDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 7.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2333CDS-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo29X0526
Cinta adhesiva16P3712
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2333CDS-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo29X0526
Cinta adhesiva16P3712
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id7.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Alternativas para el número de pieza SI2333CDS-T1-GE3
3 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.1
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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