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SI2319DS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 3 A, 0.082 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2319DS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85W0177
Re-reeling (Rollos a medida)06J7581RL
Cinta adhesiva06J7581
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.290 | $1.29 |
| Total Precio | $1.29 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 50+ | $1.280 |
| 100+ | $1.260 |
| 250+ | $1.030 |
| 500+ | $0.872 |
| 1000+ | $0.759 |
| 2500+ | $0.606 |
| 5000+ | $0.572 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.110 |
| 9000+ | $1.090 |
| 15000+ | $1.070 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2319DS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85W0177
Re-reeling (Rollos a medida)06J7581RL
Cinta adhesiva06J7581
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.082
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd750mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTO-236
Disipación de Potencia750
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2319DS-T1-E3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de -40V. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® montado en la superficie utiliza circuitos integrados y paquetes de señales pequeñas que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia de calor requeridas por los dispositivos de potencia.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.082
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
750mW
Diseño de Transistor
TO-236
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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