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SI2319CDS-T1-BE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2319CDS-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82AH6202RL
Cinta adhesiva82AH6202
Rango de ProductoTrenchFET Series
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43 En Inventario
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en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.120 | $1.12 |
| Total Precio | $1.12 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.120 |
| 50+ | $0.741 |
| 100+ | $0.479 |
| 250+ | $0.417 |
| 500+ | $0.355 |
| 1000+ | $0.306 |
| 2500+ | $0.277 |
| 5000+ | $0.248 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2319CDS-T1-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82AH6202RL
Cinta adhesiva82AH6202
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id4.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077
Resistencia de Activación Rds(on)0.064ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia Pd2.5W
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoTrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
2.5W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.064ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto