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SI2315BDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2315BDS-T1-GE3
No. Parte Newark84R8028
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2315BDS-T1-GE3
No. Parte Newark84R8028
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd750mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia750
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza SI2315BDS-T1-GE3
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Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
750mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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