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SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET,N CH,20V,6A,DIODE,SOT23
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2312CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0109
Re-reeling (Rollos a medida)23T8496RL
Cinta adhesiva23T8496
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111 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.725 | $3.62 |
| Total Precio | $3.62 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.725 |
| 50+ | $0.446 |
| 100+ | $0.286 |
| 250+ | $0.252 |
| 500+ | $0.217 |
| 1000+ | $0.195 |
| 2500+ | $0.181 |
| 5000+ | $0.167 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.157 |
| 6000+ | $0.149 |
| 12000+ | $0.142 |
| 18000+ | $0.134 |
| 30000+ | $0.125 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2312CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0109
Re-reeling (Rollos a medida)23T8496RL
Cinta adhesiva23T8496
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0318ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente450mV
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
450mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0318ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2312CDS-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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