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SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET,P CH,30V,2.7A,DIODE,SOT23
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2303CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0104
Re-reeling (Rollos a medida)23T8494RL
Cinta adhesiva23T8494
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.804 | $4.02 |
| Total Precio | $4.02 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.804 |
| 50+ | $0.497 |
| 100+ | $0.320 |
| 250+ | $0.282 |
| 500+ | $0.244 |
| 1000+ | $0.220 |
| 2500+ | $0.204 |
| 5000+ | $0.188 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.214 |
| 6000+ | $0.205 |
| 12000+ | $0.196 |
| 18000+ | $0.193 |
| 30000+ | $0.191 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2303CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0104
Re-reeling (Rollos a medida)23T8494RL
Cinta adhesiva23T8494
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2.7A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia2.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2303CDS-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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