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SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)16P3701RL
Cinta adhesiva16P3701
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.267 | $801.00 |
| Total Precio | $801.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.267 |
| 9000+ | $0.262 |
| 15000+ | $0.256 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2301CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)16P3701RL
Cinta adhesiva16P3701
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.112
Resistencia de Activación Rds(on)0.142ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Disipación de Potencia Pd860mW
Diseño de TransistorTO-236
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia860
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI2301CDS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 20VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de carga.
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.112
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
860mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.142ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia
860
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2301CDS-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto