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SI2301CDS-T1-E3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.11 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark30AC0135
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.183 |
| 6000+ | $0.174 |
| 9000+ | $0.156 |
| 15000+ | $0.143 |
| 30000+ | $0.134 |
| 75000+ | $0.125 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$549.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark30AC0135
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2301CDS-T1-E3.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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