Imprimir página
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2.2 A, 0.1 ohm, TO-236, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2301BDS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo35K3452
Re-reeling (Rollos a medida)06J7561RL
Cinta adhesiva06J7561
Su número de pieza
7,236 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.576 | $0.58 |
| Total Precio | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.576 |
| 50+ | $0.481 |
| 100+ | $0.432 |
| 250+ | $0.391 |
| 500+ | $0.344 |
| 1000+ | $0.309 |
| 2500+ | $0.257 |
| 5000+ | $0.250 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.197 |
| 3000+ | $0.193 |
| 6000+ | $0.178 |
| 12000+ | $0.166 |
| 18000+ | $0.155 |
| 30000+ | $0.148 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2301BDS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo35K3452
Re-reeling (Rollos a medida)06J7561RL
Cinta adhesiva06J7561
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd900mW
Diseño de TransistorTO-236
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950
Disipación de Potencia900
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI2301BDS-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 2.5VGS con diodo antiparalelo.
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
900mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza SI2301BDS-T1-E3
3 productos encontrados
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto