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SI1401EDH-T1-BE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 4 A, 0.028 ohm, SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1401EDH-T1-BE3Copiar
No. Parte Newark36AJ8051
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.731 |
| 25+ | $0.450 |
| 50+ | $0.370 |
| 100+ | $0.289 |
| 250+ | $0.255 |
| 500+ | $0.220 |
| 1000+ | $0.198 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark36AJ8051
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia2.8
Disipación de Potencia Pd2.8W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028
Diseño de Transistor
SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
2.8
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
2.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto