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SI1317DL-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark28AC2116
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 9000+ | $0.188 |
| 15000+ | $0.169 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark28AC2116
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia de Activación Rds(on)0.125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd500mW
Diseño de TransistorSOT-323
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente450mV
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.125ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
450mV
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI1317DL-T1-GE3.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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