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SI1062X-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1062X-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AC3673
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6486RL
Cinta adhesiva70AC6486
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.382 | $0.38 |
| Total Precio | $0.38 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.382 |
| 50+ | $0.239 |
| 100+ | $0.150 |
| 250+ | $0.131 |
| 500+ | $0.112 |
| 1000+ | $0.099 |
| 2500+ | $0.091 |
| 5000+ | $0.082 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.054 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1062X-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AC3673
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6486RL
Cinta adhesiva70AC6486
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id530
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.42
Resistencia de Activación Rds(on)0.35ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd220mW
Diseño de TransistorSC-89
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia220
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.42
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
220mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
530
Resistencia de Activación Rds(on)
0.35ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SC-89
Disipación de Potencia
220
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI1062X-T1-GE3
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto