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SI1034CX-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1034CX-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)61AC1929
Cinta adhesiva61AC1929
Rango de ProductoTrenchFET Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.803 | $0.80 |
| Total Precio | $0.80 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.803 |
| 25+ | $0.561 |
| 50+ | $0.458 |
| 100+ | $0.355 |
| 250+ | $0.287 |
| 500+ | $0.219 |
| 1000+ | $0.162 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1034CX-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)61AC1929
Cinta adhesiva61AC1929
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N610mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P610mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.33ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.33ohm
Diseño de TransistorSC-89
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N220mW
Disipación de Potencia de Canal P220mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
610mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.33ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
220mW
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
610mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.33ohm
Diseño de Transistor
SC-89
Disipación de Potencia de Canal N
220mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI1034CX-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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