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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1012X-T1-GE3
No. Parte Newark16P3669
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1012X-T1-GE3
No. Parte Newark16P3669
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id600mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.7ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.7ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)6V
Disipación de Potencia Pd250mW
Diseño de TransistorSC-89
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900mV
Disipación de Potencia250mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.7ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
250mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900mV
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
600mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0.7ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
6V
Diseño de Transistor
SC-89
Disipación de Potencia
250mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto