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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.830 |
| 10+ | $0.912 |
| 25+ | $0.850 |
| 50+ | $0.788 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLR110PBFCopiar
No. Parte Newark38K2991
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id4.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54
Resistencia de Activación Rds(on)0.54ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia25
Disipación de Potencia Pd25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia de canal N en paquete DPAK (TO-252)
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Unidad de puerta de nivel lógico
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
25
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.54ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRLR110PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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