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IRLI640GPBF
MOSFET, N-CH, 200V, 9.9A, TO-220FP
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLI640GPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante60 semanas
No. Parte Newark56AJ9931
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.520 |
| 10+ | $2.980 |
| 100+ | $2.100 |
| 500+ | $1.730 |
| 1000+ | $1.700 |
| 2500+ | $1.660 |
| 5000+ | $1.630 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLI640GPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante60 semanas
No. Parte Newark56AJ9931
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id9.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia40W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
40W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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