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IRFUC20PBF
MOSFET, N-CH, 600 V, 2 A, TO-251AA-3
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.870 |
| 10+ | $1.340 |
| 25+ | $1.260 |
| 50+ | $1.190 |
| 100+ | $1.110 |
| 500+ | $0.982 |
| 1000+ | $0.887 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.87
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFUC20PBF
No. Parte Newark01AC4885
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.4
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia42
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.4
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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