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IRFU320PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU320PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark63J7066
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.000 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $0.921 |
| 500+ | $0.848 |
| 1000+ | $0.834 |
| 2500+ | $0.817 |
| 5000+ | $0.801 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU320PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark63J7066
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia de Activación Rds(on)1.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.8
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd42W
Diseño de TransistorTO-251
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia42
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia de Activación Rds(on)
1.8ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.8
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-251
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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