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IRFU024PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-251, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU024PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante58 semanas
No. Parte Newark19K8188
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.900 |
| 10+ | $1.510 |
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| 500+ | $1.130 |
| 1000+ | $1.020 |
| 2500+ | $1.000 |
| 5000+ | $0.979 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU024PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante58 semanas
No. Parte Newark19K8188
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-251
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-251
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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