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IRFR320TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR320TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7153RL
Cinta adhesiva69W7153
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.530 | $1.53 |
| Total Precio | $1.53 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.530 |
| 50+ | $0.788 |
| 100+ | $0.738 |
| 250+ | $0.689 |
| 500+ | $0.642 |
| 1000+ | $0.630 |
| 2500+ | $0.617 |
| 5000+ | $0.605 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR320TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7153RL
Cinta adhesiva69W7153
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.8
Resistencia de Activación Rds(on)1.8ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd42W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia42
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFR320TRPBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El DPAK está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o por onda. Son posibles niveles de disipación de potencia de hasta 1.5W en aplicaciones típicas de montaje en superficie.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Facilidad de paralelismo
- Montaje Superficial
- Clasificado avalancha repetitiva
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.8
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia de Activación Rds(on)
1.8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFR320TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto