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IRFR320TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR320TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7153RL
Cinta adhesiva69W7153
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.560 | $1.56 |
| Total Precio | $1.56 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.560 |
| 50+ | $0.746 |
| 100+ | $0.666 |
| 250+ | $0.654 |
| 500+ | $0.642 |
| 1000+ | $0.629 |
| 2500+ | $0.617 |
| 5000+ | $0.605 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR320TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7153RL
Cinta adhesiva69W7153
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia de Activación Rds(on)1.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.8
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia42
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El IRFR320TRPBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El DPAK está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o por onda. Son posibles niveles de disipación de potencia de hasta 1.5W en aplicaciones típicas de montaje en superficie.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Facilidad de paralelismo
- Montaje Superficial
- Clasificado avalancha repetitiva
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia de Activación Rds(on)
1.8ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.8
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
42W
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFR320TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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Trazabilidad del producto