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IRFR014PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR014PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5300
Re-reeling (Rollos a medida)38K2596RL
Cinta adhesiva38K2596
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.030 | $1.03 |
| Total Precio | $1.03 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 50+ | $0.858 |
| 100+ | $0.770 |
| 250+ | $0.698 |
| 500+ | $0.613 |
| 1000+ | $0.552 |
| 2500+ | $0.459 |
| 5000+ | $0.445 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 75+ | $0.058 |
| 225+ | $0.054 |
| 375+ | $0.047 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR014PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5300
Re-reeling (Rollos a medida)38K2596RL
Cinta adhesiva38K2596
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id7.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
The IRFR014PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Dynamic dV/dt rating
- Ease of paralleling
- Surface-mount
- Simple drive requirements
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
25W
Disipación de Potencia
25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFR014PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
