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IRFPG50PBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 6.1 A, 2 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFPG50PBF.
No. Parte Newark27AC6795
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.440 |
| 10+ | $5.800 |
| 25+ | $5.270 |
| 50+ | $4.820 |
| 100+ | $4.500 |
| 250+ | $3.780 |
| 500+ | $3.650 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.44
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFPG50PBF.
No. Parte Newark27AC6795
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id6.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia190
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFPG50PBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 1000V con configuración única. Este Power MOSFET de tercera generación de Vishay proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia de encendido. También proporciona una mayor distancia de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
- Orificio de montaje central aislado
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.1
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Disipación de Potencia Pd
190W
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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