Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP264PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark63J6865
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 500+ | $4.690 |
Precio para:Cada
Mínimo: 500
Múltiple: 500
$2,345.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP264PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark63J6865
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id38
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd280W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-247
Disipación de Potencia280
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFP264PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 250V que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad. También proporciona una mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Orificio de montaje central aislado
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Resistencia térmica de 0.45 °C/W, de unión a carcasa
- Resistencia térmica 40°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
280W
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
280
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFP264PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
